光伏電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等光伏電池濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)增加硅片表面積,進而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備
太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。鄭州電池濕法堿拋設(shè)備濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能有效將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻。
電池濕法設(shè)備Topcon工藝RCA槽式清洗設(shè)備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層,去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢:閉環(huán)運動控制系統(tǒng),保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機+高效過濾器的方式,l進口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l采用機械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃l引進半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。
要降低電池濕法設(shè)備的成本,可以從以下幾個方面入手:1.選用合適的設(shè)備:在購買設(shè)備時,要根據(jù)實際需求選擇合適的設(shè)備,不要盲目追求高級設(shè)備,以免造成不必要的浪費。2.優(yōu)化工藝流程:通過優(yōu)化工藝流程,可以減少設(shè)備的使用量和能耗,從而降低成本。例如,可以采用更高效的電解液、調(diào)整電流密度等。3.控制原材料成本:原材料是電池濕法設(shè)備的主要成本之一,要盡可能地降低原材料成本??梢酝ㄟ^采購優(yōu)良、低價的原材料、與供應(yīng)商談判降低價格等方式實現(xiàn)。4.加強設(shè)備維護:定期對設(shè)備進行維護和保養(yǎng),可以延長設(shè)備壽命,減少故障率,從而降低維修和更換設(shè)備的成本。5.提高生產(chǎn)效率:通過提高生產(chǎn)效率,可以減少生產(chǎn)時間和能耗,從而降低成本??梢圆捎米詣踊a(chǎn)線、提高工人技能水平等方式實現(xiàn)??傊?,降低電池濕法設(shè)備的成本需要從多個方面入手,需要綜合考慮各種因素,才能實現(xiàn)更佳效果。濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)慢提拉采用機械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。
濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng),保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機+高效過濾器的方式,l鏈式去BSG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備
電池濕法設(shè)備配合先進的干燥技術(shù),可有效去除電池漿料中的水分和其他雜質(zhì),提高電極的干燥效果。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備
電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理,2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備,并實現(xiàn)量產(chǎn),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除,利用背面PSG保護,在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機設(shè)計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu),料臺歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口;去PSG設(shè)備布局前后通透,給設(shè)備使用者提供了便捷性;上料臺搭配了大流量全新滴液泵;廣州硅片濕法堿拋設(shè)備
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